Arquitectura del subsistema de memoria, Dimm de rango único, rango doble y cuatro rangos – HP Servidor HP ProLiant DL120 G6 User Manual

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El servidor admite las siguientes velocidades de DIMM:

Memorias DIMM de rango único y rango doble PC3-10600 (DDR-1333) a 1333 y 1066 MHz

Memorias DIMM de cuatro rangos PC3-8500 (DDR-1067) a 1066 MHz

En función del modelo de procesador, el número de memorias DIMM instaladas, y si las memorias
UDIMM o RDIMM están instaladas, la velocidad del reloj de memoria puede reducirse a 1066 u
800 MHz. Para obtener más información acerca del efecto de ocupación de la ranura DIMM, consulte
"Directrices generales de ocupación de la ranura DIMM" (

Directrices generales de ocupación de

ranuras de DIMM en la página 24

).

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. El procesador admite dos
canales, y cada canal admite tres ranuras DIMM, como se muestra en la siguiente tabla.

Canal

Ranura

Número de ranura

1

E

C

A

1

2

3

2

F

D

B

4

5

6

Este servidor admite tanto memorias DIMM PC3 registradas (RDIMM) como memorias DIMM sin
búfer (UDIMM).

Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican las
ranuras que se deben ocupar para los modos AMP específicos. Los mensajes ROM informan sobre
los números de ranura durante el arranque y en los informes de error.

DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos

Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.

Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Sólo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un DIMM o
lee desde éste.

Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 2 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 4 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 8 GB.

ESES

Opciones de memoria

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