MSI G41M-P26 - Manual (Page 134)

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adjust CPu Ratio
本項用來調整 CPu 時脈倍頻器 (ratio)。本項在處理器支擾本功能時才會顯示。
adjusted CPu Frequency (MHz)
本項顯示調整後 CPu 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
MeMoRy-Z
按下 <enter> 鍵以進入子選單。
diMM/2 Memory SPd information
按下 <enter> 鍵以進入子選單。本子選單顯示已安裝記憶體的訊息。
advance dRaM Configuration
按下 <enter> 鍵以進入子選單。
dRaM timing Mode
選擇 dRaM 的時序，是否由 dRaM 模組上的 SPd eePRoM 裝置來控制。設
為 [auto by SPd] ，由 BioS 依 SPd 上的組態，來設定 dRaM 時序及其它相
關設定。設定為 [Manual] 時，則以手動方式更改 dRaM 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)
將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位址信
號 (CaS) 延遲，也就是於 SdRaM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲時
間 (以時脈計)。
tRCd
將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時，可調整本欄位。在dRaM更新時，
列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的過渡
時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位址
(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電，
更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態
隨機存取記憶體時。
tRaS
將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RaS 由讀
取到寫入記憶體所需時間
tRtP
將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電間的
時間差。
tRFC
將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC 由讀
取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將 dRaM timing Mode 設為 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有效寫
入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入緩
衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。