MSI G41M-P25 - Manual (Page 134)

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CPu technology Support ( CPu 支援技術 )
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。子選單顯示已安裝 CPu 所支援的技術。
intel eiSt ( intel 節電技術 )
本技術依電腦使用電池或接 aC 交流電源的情況，來設定微處理器的效能表現。本
項在安裝支援 intel ® SpeedStep 技術的 CPu 才會顯示。
adjust CPu FSB Frequency (mHz) ( 調整 CPu FSB 頻率 )
本項可調整 CPu FSB 頻率。
adjust CPu Ratio ( 調整 CPu 倍頻比率 )
本項用來調整 CPu 時脈倍頻器 (ratio)。本項在處理器支擾本功能時才會顯示。
adjusted CPu Frequency (mHz) ( 調整後 CPu 頻率 )
本項顯示調整後 CPu 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
memoRy-Z
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。
dimm/2 memory SPd information ( dimm/2 記憶體 SPd 訊息 )
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。本子選單顯示已安裝記憶體的訊息。
advance dRam Configuration ( 進階記憶體設定 )
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。
dRam timing mode ( 記憶體時序模式 )
選擇 dRam 的時序，是否由 dRam 模組上的 SPd eePRom 裝置來控制。設
為 [auto by SPd] ，由 BioS 依 SPd 上的組態，來設定 dRam 時序及其它相關
設定。設定為 [manual] 時，則以手動方式更改 dRam 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位址
信號 (CaS) 延遲，也就是於 SdRam 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲
時間 (以時脈計)。
tRCd
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。在dRam更新
時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的
過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位址
(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電，
更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態
隨機存取記憶體時。