MSI H61M-P25 (B3) User Manual

Page 61

Advertising
background image

6

MS-7680

de température. elle peut également offrir une augmentation de la puissance sans

erreurs (dynamique augmentation, baisse par étape).
oC Genie Button operation

Ce domaine sert à activer/ désactiver la fonction oC Genie.
drAM Frequency

Ce menu sert à ajuster la fréquence de la mémoire.
Adjusted drAM Frequency

il montre la fréquence ajustée de la drAM. Lecture uniquement.
drAM timing Mode

Le choix de décision si le timing drAM est contrôlé par le SPd (Serial Presence

detect) eeProM sur le module drAM. La mise en [Auto] active le drAM timings

et le sous-menu suivant “Advance drAM Configuration” d’être déterminé par le

BioS basé sur la configuration du SPd. La mise en [Manual] vous permet de con-

figurer le timings drAM et le sous-menu suivant “Advance drAM Configuration”

relatifs manuellement.
Advanced drAM Configuration

Appuyez sur <enter> pour entrer dans le sous-menu. dans le sous-menu, vous

pouvez ajuster le drAM timing avancé.

Command rate

Ce réglage contrôle le taux d’ordre drAM.
tCL

il contrôle le latence CAS, qui détermine le retard du timing (en cycle d’horloge)

avant que le SdrAM commence un ordre de lecture après l’avoir reçu.
trCd

Quand le drAM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés

séparément. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition

de rAS (row address strobe) à CAS (column address strobe). Moins l’horloge

fonctionne, plus vite est la performance de drAM.
trP

Cet article contrôle le numéro de cycles pour que le row Address Strobe (rAS)

soit permit à précharger. S’il n’y a pas assez de temps pour que le rAS ac-

cumule son charge avant le refraîchissement de to drAM, le refraîchissement

peut être incomplet et le drAM peut échouer à retirer les données. Cet article

applique seulement quand le drAM synchrone est installé dans le système.
trAS

L’article détermine le temps que le rAS prend pour lire ou écrire une cellule

de mémoire.
trFC

Ce réglage détermine le temps que rFC prend pour lire ou écrire une cellule

de mémoire.
tWr

L’intervalle de temps minimum entre la fin d’apparition d’écriture de données et

le début de l’ordre de précharge. Permet aux amplificateurs sensitifs de restau-

rer les données aux cellules.

Advertising