MSI H61I-E35 (B3) - Manual (Page 48)

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intel turbo Booster
Cet article apparaît lorsque vous installez un CPu supportant l’intel turbo Boost
technologie. Ce menu sert à activer ou désactiver l’intel turbo Boost technolo-
gie. elle peut augmenter la fréquence du processeur dynamiquement lorsque les
applications demandent une meilleure performance et le tdP reste dans la plage
de température. elle peut également offrir une augmentation de la puissance sans
erreurs (dynamique augmentation, baisse par étape).
oC Genie Button operation
Ce domaine sert à activer/ désactiver la fonction oC Genie.
dRaM Frequency
Ce réglage contrôle le ratio de la fréquence mémoire pour activer la mémoire de
fonctionner en différentes combinaisons de fréquence.
adjusted dRaM Frequency
il montre la fréquence ajustée de la dRaM. Lecture uniquement.
dRaM timing Mode
Le choix de décision si le timing dRaM est contrôlé par le SPd (Serial Presence
detect) eePRoM sur le module dRaM. La mise en [auto] active le dRaM timings
et le sous-menu suivant “advance dRaM Configuration” d'être déterminé par le
BioS basé sur la configuration du SPd. La mise en [Manual] vous permet de
configurer le timings dRaM et le sous-menu suivant “advance dRaM Configura-
tion” relatifs manuellement.
advanced dRaM Configuration
appuyez sur <enter> pour entrer dans le sous-menu. dans le sous-menu, vous
pouvez ajuster le dRaM timing avancé.
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d’ordre dRaM.
tCL
il contrôle le latence CaS, qui détermine le retard du timing (en cycle d’horloge)
avant que le SdRaM commence un ordre de lecture après l’avoir reçu.
tRCd
quand le dRaM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés
séparément. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition
de RaS (row address strobe) à CaS (column address strobe). Moins l’horloge
fonctionne, plus vite est la performance de dRaM.
tRP
Cet article contrôle le numéro de cycles pour que le Row address Strobe (RaS)
soit permit à précharger. S’il n’y a pas assez de temps pour que le RaS ac-
cumule son charge avant le refraîchissement de to dRaM, le refraîchissement
peut être incomplet et le dRaM peut échouer à retirer les données. Cet article
applique seulement quand le dRaM synchrone est installé dans le système.
tRaS
L’article détermine le temps que le RaS prend pour lire ou écrire une cellule
de mémoire.