MSI E350IS-E45 - Manual (Page 91)

9
MS-7698
tRCd
在dRaM重置时，列和栏位置是分开处理的。此项设定列位址(RaS)到行位址
(CaS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，dRaM 的效能越好。
tRP
此项控制列位址 (RaS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 dRaM 更新
之前预充电，更新可能会不完全，而且 dRaM 可能漏失资料。此项仅适用于系
统安装同步动态随机存取内存时。
tRaS
此设置决定了 RaS 由读取到写入内存所需时间。
tRC
行周期时间决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到
行充电的时间。
dRaM Voltage
此项用来调整dRaM电压 。
CPu Feature
按 <enter> 进入子菜单。在此子菜单中调整 CPu 属性。
保存 & 退出
discard Changes and exit
使用此选项来放弃所有更改并退出设置。
Save Changes and Reset
使用此选项来保存更改并重启系统。
Save Changes
使用此选项来保存更改。