Dell PowerEdge VRTX - Manual (Page 37)

• Inserte los DIMM en los zócalos solo en caso de que se encuentre instalado un procesador. En sistemas de un
procesador, están disponibles los zócalos de A1 a A6. En sistemas de doble procesador, están disponibles los
zócalos de A1 a A6 y de B1 a B6.
• Primero ocupe todos los zócalos con lengüetas de liberación blancas y, a continuación, los que tienen las
lengüetas negras.
• Ocupe los zócalos según la numeración de rango más alta, en el siguiente orden: primero los zócalos con
palancas de liberación blancas y a continuación los de las negras. Por ejemplo, si se desea combinar DIMM
cuádruples y dobles, inserte los DIMM cuádruples en los zócalos con lengüetas de liberación blancas y los
DIMM dobles en los zócalos con lengüetas de liberación negras.
• En una configuración con doble procesador, la configuración de la memoria para cada procesador debe ser
idéntica. Por ejemplo, si utiliza el zócalo A1 para el procesador 1, utilice también el zócalo B1 para el procesador
2 y así sucesivamente.
• Se pueden combinar módulos de memoria de distinto tamaño si se siguen otras reglas de utilización de la
memoria (por ejemplo, se pueden combinar módulos de memoria de 2 GB y 4 GB).
• En función de las pautas específicas de los modos, introduzca dos o tres módulos DIMM por procesador (un
módulo DIMM por canal) al mismo tiempo para maximizar el rendimiento. Para obtener información adicional,
consulte la sección Pautas específicas de los modos.
• Si se instalan módulos de memoria de velocidades diferentes, funcionarán a la velocidad del módulo más lento
o a una velocidad inferior, dependiendo de la configuración DIMM del sistema.
Pautas específicas de los modos
Se asignan tres canales de memoria a cada procesador. Las configuraciones permitidas dependen del modo de
memoria seleccionado.
NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS (fiabilidad,
disponibilidad y facilidad de reparación). Sin embargo, se deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los
módulos DIMM de DRAM x4 conservan SDDC (corrección de datos de dispositivo único) en el modo optimizado
(canal independiente) de memoria o en el modo de ECC avanzada. Los módulos DIMM de DRAM x8 precisan del
modo de ECC avanzada para obtener SDDC.
Las siguientes secciones incluyen pautas adicionales sobre la ocupación de las ranuras en cada modo.
Modo de ECC avanzada (Lockstep)
El modo de ECC avanzada amplía SDDC de módulos DIMM de DRAM x4 a DRAM x4 y x8. Esta ampliación ofrece
protección frente a fallos de chip de DRAM sencillos durante el funcionamiento.
Pautas para la instalación de la memoria:
• Los zócalos de memoria A1, A4, B1 y B4 están desactivados y no admiten el modo de ECC avanzada.
• Los módulos DIMM deben instalarse en pares coincidentes: los módulos DIMM instalados en los zócalos de
memoria (A2 y B2) deben coincidir con los módulos DIMM instalados en los zócalos de memoria (A3 y B3) y los
módulos DIMM instalados en los zócalos de memoria (A5 y B5) deben coincidir con los módulos DIMM
instalados en los zócalos de memoria (A6 y B6).
NOTA: No se admite el modo de ECC avanzada con duplicación.
Modo Optimized (Independent Channel) (Optimización, canal independiente)
Este modo admite SDDC sólo para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4 y no impongan
requisitos específicos en cuanto a la ocupación de ranuras.
Sustitución de memoria
NOTA: Para utilizar la sustitución de memoria, esta función debe estar activada en el programa de Configuración
del sistema.
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