Configuraciones de memoria de muestra – Dell PowerEdge M820 (for PE VRTX) User Manual

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With memory sparing enabled, the system memory available to the operating system is reduced by one
rank per channel. For example, in a dual-processor configuration with sixteen 4 GB dual-rank DIMMs, the
available system memory is: 3/4 (ranks/channel) × 16 (DIMMs) × 4 GB = 48 GB, and not 16 (DIMMs) × 4
GB = 64 GB.

NOTA: Memory sparing does not offer protection against a multi-bit uncorrectable error.

NOTA: Both Advanced ECC/Lockstep and Optimizer modes support Memory Sparing.

Duplicación de memoria

La duplicación de memoria ofrece el modo de fiabilidad DIMM más seguro en comparación con el resto

de los modos, proporcionando protección mejorada frente a errores irreparables de varios bits. En una

configuración duplicada, el total de memoria del sistema disponible es la mitad de la memoria física

instalada. La mitad de memoria instalada se utiliza para duplicar los módulos DIMM activos. Si se produce

un error irreparable, el sistema conmutará a la copia duplicada. De esta forma, se garantiza la SDDC y la

protección de varios bits.
Pautas para la instalación de memoria:

• Todos los módulos de memoria deben ser idénticos en lo que se refiere a tamaño, velocidad y

tecnología.

• Los módulos DIMM instalados en sockets de memoria con palancas de liberación blancas deben ser

idénticos. La misma regla se aplica a los sockets con pestañas negras y verdes. Se garantiza así que se

instalen módulos DIMM idénticos en pares coincidentes: por ejemplo, A1 con A2, A3 con A4, A5 con

A6 y así sucesivamente.

Configuraciones de memoria de muestra

Las tablas siguientes muestran las configuraciones de memoria de muestra que respetan las pautas de
memoria apropiadas que se indican en esta sección.

NOTA: 1R, 2R y 4R en las siguientes tablas indican módulos DIMM individuales, dobles y cuádruples.

Tabla 3. Configuraciones de memoria: dos procesadores

Capacidad del

sistema (en GB)

Tamaño de

módulo DIMM

(en GB)

Número de

módulos

DIMM

Organización y

velocidad

Ocupación de las ranuras

de módulos DIMM

4

2

2

1R x8, 1 333 MT/s

1R x8, 1 600 MT/s

A1, B1

8

2

4

1R x8, 1 333 MT/s

1R x8, 1 600 MT/s

A1, A2, B1, B2

16

2

8

1R x8, 1 333 MT/s

1R x8, 1 600 MT/s

A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3,
B4

20

2

10

1R x8, 1 333 MT/s

1R x8, 1 600 MT/s

A1, A2, A3, A4, A5, B1, B2,
B3, B4, B5

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