Velleman DVM1200 - Manual (Page 37)

DV
•
•
•
VM1200
Prueba de d
Para efectua
1. Selec
2. Pulse
3. Cone
4. Para
al áno
5. El mu
Un diodo en
inversa varí
Prueba de c
Para efectua
1. Selec
2. Pulse
3. Cone
4. Cone
5. Una s
NOTA: Utilic
Medir la ca
Los rangos
Para efectua
1. Selec
2. Cone
Tamb
3. Cone
LCD.
Algunos con
• Podrí
para
Par
des
Par
des
Par
des
de t
La funció
uniones
para me
segundo
normal. S
indicar e
diodos
ar una prueb
ccione el rang
e SELECT pa
ecte la punta
medir la pola
odo del comp
ultímetro visu
n buen estad
a según la re
continuidad
ar una prueb
ccione el rang
e SELECT pa
ecte la punta
ecte las punta
señal sonora
ce la prueba
pacidad
del multímet
ar medicione
ccione el rang
ecte la punta
bién es posib
ecte las punta
nsejos para m
ía durar algu
mediciones d
ra evitar los
scargue todo
ra evitar los
scargue todo
ra evitar los
scargue todo
tensión CC
ón de medici
del transisto
diciones de r
os antes de q
Si la entrada
el sobre rango
ba de diodos:
go con e
ara activar la
de prueba n
arización dire
ponente y la
ualiza la tens
o produce un
esistencia de
d
ba de continu
go con el
ara activar la
de prueba n
as de prueba
a continua ind
de continuid
tro incluyen 6
es de capacid
go adecuado
de prueba n
ble realizar m
as de prueba
medir la capa
nos segundo
de fuertes ca
riesgos de
os los cond
riesgos de
os los cond
riesgos de
os los cond
para contro
ón de resiste
r causando u
resistencia e
que el aparato
a no está con
o.
:
el selector gir
a función.
egra a la con
ecta en cualq
punta de pru
ión directa a
na tensión di
e las otras vía
uidad:
selector gira
a función.
egra a la con
a al circuito q
dica una resis
dad para veri
60.00nF, 600
dad:
o con el selec
egra y la pun
mediciones de
a al condensa
acidad:
os antes de q
apacidades.
descargas e
ensadores d
descargas e
ensadores d
descargas e
ensadores d
olar si un con
- 37 -
encia produc
una conducti
n el circuito.
o produzca u
nectada, es d
ratorio.
nexión « COM
quier compon
ueba negra a
proximativa d
recta de 0.5V
as entre las p
atorio.
nexión « COM
ue quiere me
stencia inferi
ficar un circu
0.0nF, 6.000 µ
ctor giratorio
nta de prueba
e capacidad a
ador que quie
que el aparat
eléctricas y/
de alta tensi
eléctricas y/
de alta tensi
eléctricas y/
de alta tensi
ndensador e
e bastante te
vidad. Para e
En el rango
una lectura e
ecir, si hay u
M » y la punt
nente semico
al cátodo.
del diodo.
V a 0.8V. No
puntas de pru
M » y la punt
edir.
ior a 50Ω.
uito abierto.
µF, 60.00µF
.
a roja respec
al utilizar el e
ere medir y e
to produzca u
/o daños, de
ión antes de
/o daños, de
ión antes de
/o daños, de
ión antes de
está comple
ensión hacia
evitar esto, n
de 60MΩ, p
stable s. Est
un circuito ab
ta de prueba
onductor con
o obstante, la
ueba.
ta de prueba
y 300.0 µF.
ctivamente al
enchufe mult
el valor medid
una lectura e
esconecte el
e cada medic
esconecte el
e cada medic
esconecte el
e cada medic
etamente des
el diodo de s
no utilice el ra
odría durar a
to es complet
bierto, OL se v
roja a la con
ecte la punta
lectura de la
roja a la con
l borne « CO
tifunción.
do aparecerá
estable, lo qu
l circuito a p
ción.
l circuito a p
ción.
l circuito a p
ción. Utilice
scargado.
VELLEM
silicio o las
ango 60MΩ
algunos
tamente
visualiza para
nexión «
a de prueba r
a polarización
nexión « Ω »
OM » y « »
á en la panta
e es normal
prueba y
prueba y
prueba y
e la función
MAN
a
».
roja
n
.
».
alla