MSI G41M4-F - Manual (Page 131)


MS-7592
Cell Menu
Current CPu/dRaM Frequency (目前 CPu/ 記憶體頻率)
本項顯示目前的 CPu/ 記憶體頻率。唯讀。
intel eiSt (intel 節電技術)
本技術依電腦使用電池或接 aC 交流電源的情況，來設定微處理器的效能表現。本
項在安裝支援 intel ® SpeedStep 技術的 CPu 才會顯示。
adjust CPu FSB Frequency (MHz) (調整 CPu FSB 頻率)
本項可調整 CPu FSB 頻率。
adjusted CPu Frequency (MHz) (調整後 CPu 頻率)
本項顯示調整後 CPu 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
advance dRaM Configuration (進階記憶體設定)
按下 <enter> 鍵，即可進入以下子選單。
dRaM timing Mode (記憶體時序模式)
選擇 dRaM 的時序，是否由 dRaM 模組上的 SPd eePRoM 裝置來控制。設
為 [auto by SPd] ，由 BioS 依 SPd 上的組態，來設定 dRaM 時序及其它相
關設定。設定為 [Manual] 時，則以手動方式更改 dRaM 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位址
信號 (CaS) 延遲，也就是於 SdRaM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲
時間 (以時脈計)。
tRCd
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。在dRaM更新
時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的
過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。