MSI 760GM-P33 - Manual (Page 145)

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MS-7623
Adjust CPU FSB Frequency (MHz) (調整 CPU FSB 頻率)
本項可手動調整 CPU FSB 頻率。
Adjust CPU Ratio (調整 CPU 倍頻比率)
本項調整 CPU 倍頻比率。
Adjusted CPU Frequency (MHz) (調整後 CPU 頻率)
本項顯示調整後 CPU 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
Adjust CPU-NB Ratio (調整 CPU-NB 倍頻比率)
本項即可調整 CPU-NB 倍頻比率。
Adjusted CPU-NB Frequency (MHz) (調整後 CPU-NB 頻率)
本項顯示調整後 CPU-NB 的頻率 。唯讀。
EC Firmware (EC 韌體)
以本項目選擇「進階時脈校正」選項中的 EC Firmware。若要開核，請將本項設
為 [Special]，再調整「進階時脈校正」為 [Auto] 即可。
Advanced Clock Calibration (進階時脈校正)
本項用來超頻。設為開啟 [Enabled] 將 CPU 倍頻比率調到較高值。本項僅在處理
器支援本功能時有效。
MultiStep OC Booster
本項避免 BIOS 執行超頻時當機。設為關閉 [Disabled] 來關閉本欄位, 於開機自我
測試 POST 時，套用超頻設定。[Mode 1] 模式 1，先於開機自我測試 POST 時部
份超頻，載入作業系統後再完整超頻。[Mode 2] 模式 2，載入作業系統後再套用超
頻設定。
Memory-Z
按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。選擇 DIMM 清單後進入並讀取該記憶體的
SPD 訊息。
Advance DRAM Configuration (進階記憶體設定)
按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。
DRAM Timing Mode (記憶體時序模式)
選擇記憶體的時序，是否由記憶體模組上的 SPD EEPROM 裝置來控制。設為
[Auto by SPD] ，由 BIOS 依 SPD 上的組態，來設定記憶體時序及其它相關設
定。設定為 [Manual] 時，則以手動方式更改記憶體時序及相關選項。
CAS Latency (CL) (CAS# 延遲)
將「記憶體時序模式」設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項控制行位址信
號(CAS) 延遲，也就是於 SDRAM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲時
間(以時脈計)。
TRCD
將「記憶體時序模式」設為手動[Manual]，可調整本欄位。在記憶體重置時，
列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS)到行位址 (CAS) 和訊號之間
的延遲時間。時序數越少，記憶體的效能越好。
TRP
將「記憶體時序模式」設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項控制列位址
(RAS)預充電的時序。若無足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電，更新