MSI G41M-P33 Combo - Manual (Page 114)

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Ce Support（增强停机状态支持）
启用此项可在CPu空闲时读取CPu电源能耗。不是所有的处理器都支持增强停机
状态（Ce）。
adjust CPu Base Frequency (mHz)（调整 CPu 基础频率，单位mHz)
此此项用来调整CPu基础频率，单位mHz。您可以通过调整此项值对CPu进行超
频。请注意超频行为不受保护。
adjusted CPu Frequency (mHz) （调整后的 CPu 频率，单位mHz）
此项显示调整后的 CPu 频率。只读。
advance dRam Configuration （高级dRam配置）
按<enter>键进入子菜单。
dRam timing mode （dRam 时序模式）
此项用于选择是否由内存模组上的 SPd（Serial Presence detect） eePRom
控制内存时序。设置此项为[auto By SPd]，BioS将根据 SPd 中的配置自动设
置内存时序和下列相关选项。设置此项为[manual]，用户可以手动配置内存时
序和下列相关选项。
CaS Latency (CL)
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项控制列地址选通
（CaS）的延迟，即在SdRam接收读指令后，开始进行读取前的延迟时间（以
时钟周期为单位）。
tRCd
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。在刷新dRam时，行和
列是分开寻址的。此项允许你设置行地址选通（RaS）到列地址选通（CaS）
之间的过渡时序。时钟周期数越少，dRam的性能越好。
tRP
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项可以设置行地址
选通（RaS）前被允许预充电的时钟周期数。若在dRam刷新前，无足够时间
让行地址选通积累足够电荷，刷新可能会不完全，dRam可能丢失资料。此项
仅适用于系统安装同步动态随机存取内存时。
tRaS
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时 RaS 所需时间。
tRtP
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置读指令和预
充电指令之间的时间间隔。
tRFC
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时RFC所需时间。
tWR
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项用来设置一个活
跃内存模块在完成一个有效写操作之后，在预充电之前必须的总延迟（以时钟
周期为单位）。这个延迟用来保证在预充电前写缓冲中的数据被完整写入内存
单元中。
tRRd