MSI G41M-P33 Combo - Manual (Page 97)

97
MS-7592
время для того, чтобы RaS набрал необходимый заряд, регенерация
dRam может оказаться неполной и привести к потере данных. Этот пункт
применим, только когда в системе установлена синхронная dRam.
tRaS
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Эта установка определяет время, которое RaS затрачивает
на чтение и запись в ячейку памяти.
tRtP
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Временный интервал между командами чтения и предзаряда.
tRFC
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Эта установка определяет время, которое RFC затрачивает
на чтение и запись в ячейку памяти.
tWR
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Эта установка определяет временную задержку (в тактах
генератора), которая выполняется между завершением действительной
операции записи и предзарядом активного банка. Эта задержка
необходима, чтобы гарантировать, что данные в буферах записи успеют
попасть в ячейки памяти до предзаряда.
tRRd
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Он определяет задержку от активного к активному состоянию
для разных банков.
tWtR
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Этот пункт контролирует задержку между Write data in и Read
Command delay. Она определяет минимальное количество тактов, которое
должно пройти между последней действительной операцией записи и
следующей командой чтения для одного и того же банка устройства ddR.
FSB/dRam Ratio
Этот пункт позволяет регулировать коэффициент между частотами FSB и
памятью.
adjusted dRam Frequency (mHz)
Этот пункт показывает значение частоты памяти. Только для чтения.
auto disable PCi/PCi-e Frequency
При установке значения [enabled] система отключит неиспользуемые
разъемы памяти и разъемы dimm и PCi, что приведёт к снижению уровня
электромагнитных помех (emi).
dRam Voltage (V), nB Voltage (V), CPu Vtt (V)
Этот пункт позволяет регулировать напряжение CPu, памяти и чипсета.