MSI G41M-P33 Combo - Manual (Page 96)

96
CPu Feature
Нажмите <enter> для входа в подменю.
CPu technology Support
Нажмите <enter> для входа в подменю. В подменю показаны технологии,
которые поддерживает установленый CPu.
intel eiSt
Технология enhanced intel SpeedStep позволяет установить уровень
производительности микропроцессора. Этот пункт появляется после
установки процессора, который поддерживает технологию SpeedStep.
Ce Support
Включите этот пункт для смотрения состояния энергосбережения CPu,
когда он не работает. Не все процессоры поддерживают enhanced Halt state
(Ce).
adjust CPu Base Frequency (mHz)
Этот пункт позволяет установить тактовую частоту Base clock CPu (в МГц).
Изменение этого параметра обеспечивает возможность разгона CPu.
Внимание, возможность успешного разгона не гарантируется.
adjusted CPu Frequency (mHz)
Этот пункт показывает текущую частоту CPu. Только для чтения.
advance dRam Configuration
Нажмите <enter> для входа в подменю.
dRam timing mode
Определяет будут ли временные параметры dRam контролироваться
данными из SPd (Serial Presence detect) eePRom на модуле dRam. При
выборе значения [auto By SPd], временные параметры dRam, включая
пункты меню, перечисленные ниже, устанавливаются BioS в соответствии
с данными из SPd. При установке значения [manual], этот пункт позволяет
вручную регулировать временные параметры dRam доступные в этом
меню.
CaS Latency (CL)
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Он контролирует время задержки CaS, которое определяет
период (в тактах генератора) между получением SdRam команды чтения
и началом ее выполнения.
tRCd
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. При регенерации заряда dRam, строки и столбцы адресуются
раздельно. Этот пункт позволяет вам определить время перехода от RaS
(строб адреса строки) к CaS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов,
тем быстрее работа dRam.
tRP
При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится
доступным. Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых
для предзаряда Row address Strobe (RaS). Если выделяется недостаточное