MSI G41M-P34 - Manual (Page 114)

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CPu technology Support （CPu技术支持）
按<enter>进入子菜单，此菜单显示已安装CPu所支持的技术。
intel eiSt
改进的 intel SpeedStep 技术允许您设定微处理器在电池或 aC 交流电源下的性
能水平。此项仅在您安装的 CPu 支持 speedstep 技术的情况下才出现。
adjust CPu FSB Frequency (mHz) （调整 CPu FSB 频率，单位 mHz）
此项允许您选择CPu前端总线频率。单位mHz。
adjusted CPu Frequency (mHz)（调整后的 CPu 频率，单位mHz）
显示调整后的 CPu 频率 (FSB x Ratio)。只读。
memoRy-Z
按<enter>进入子菜单。
dimm/2 memory SPd information（内存速度信息）
按<enter>进入子菜单， 此菜单显示已安装内存信息。
advance dRam Configuration（高级dRam配置）
按<enter>进入子菜单。
dRam timing mode （dRam 时序模式）
选择内存时序是否被dRam模组中的SPd（Serial Presence detect）所控
制。设定 [auto By SPd] ， BioS通过配置中的SPd，来设定内存时序和下
列相关选项。设定 [manual]， 允许用户配置内存时序参数和手动设置下列选
项。
CaS Latency (CL)
当dRam timing mode设置为 [manual]，此项可调整。此项控制行位址信号
（CaS）延迟，即在SdRam接收读取指令后，开始进行读取前的延迟时间（
在时钟周期内）。
tRCd
当dRam timing mode设置为 [manual]，此项可调整。在dRam 重置时，列
和栏位置是分开处理的。此项设定列位址 （RaS）到行位址（CaS）和信号
之间的延迟时间。时序数越少，dRam 的效能越好。
tRP
当dRam timing mode设置为 [manual]，此项可调整。此项可以控制列位
址（RaS）预充电的时序。若无足够时间，让列位址在dRam更新之前预充
电，更新可能会不完全，而且dRam可能漏失资料。此项仅适用于系统安装
同步动态随机存取内存时。
tRaS
当dRam timing mode设置为 [manual]，此项可调整。此项指定RaS由读取
到写入内存所需时间。
tRtP
当dRam timing mode设置为 [manual]，此项可调整。此项指定读指令和预
充电之间的时间间隔。