MSI G41M-P34 - Manual (Page 42)

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CPu technology Support (CPu 기술 지원)
<enter>키를 눌러 하위 메뉴에 들어갑니다. 이 하위 메뉴는 설치된 CPu가 지
원하는 기술을 표시합니다.
intel eiSt
향상된 intel SpeedStep 기술로 인해 배터리 또는 aC 전원 중 어떤 방식으로 컴퓨
터를 실행되느냐에 따라 마이크로 프로세서의 성능 레벨을 설정할 수 있습니다.
speedstep 기술을 지원하는 CPu를 설치하면 이 필드가 표시됩니다.
adjust CPu FSB Frequency (CPu FSB 주파수 조정) (mHz)
이 항목에서 CPu FSB 주파수를 조정할 수 있습니다.
adjusted CPu Frequency (조정된 CPu 주파수) (mHz)
이 항목은 조정된 CPu 주파수를 표시합니다 (FSB x Ratio). 읽기 전용입니다.
memoRy-Z (메모리-Z)
<enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다.
dimm/2 memory SPd information (dimm~2 메모리 SPd 정보)
<enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다. 이 하위 메뉴는 설치된 메모리의 정
보를 표시합니다.
advance dRam Configuration (고급 dRam 구성)
<enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다.
dRam timing mode (dRam 타이밍 모드)
dRam 모듈의 SPd (시리얼 존재 감지) eePRom에 의해 dRam 타이밍을 제
어하는지 어떤지 선택합니다. [auto By SPd]으로 설정하면 SPd 구성을 기준
으로 하는 BioS 에 의해 dRam 타이밍 및 다음 관련 항목을 판별할 수 있습니
다. [manual(수동)]으로 설정하면 사용자가 dRam 타이밍 및 다음 관련 항목
을 수동으로 설성할 수 있습니다.
CaS Latency (CaS 대기 시간) (CL)
dRam 타이밍 모드가 [manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할
수 있습니다.이렇게 되면 SdRam이 읽기 명령을 받아서 이 명령을 시작하기
전에 (클록 사이클의) 타이밍 지연을 결정하는 CaS 대기 시간을 제어합니다.
tRCd
dRam 타이밍 모드가 [manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할
수 있습니다. dRam이 재충전되면 행과 열이 따로 분리됩니다. 이 설정 항목
을 사용하면 RaS(열 주소)에서 CaS(행 주소)로의 변환 타이밍을 결정할 수 있
습니다. 클록 사이클이 짧을수록 dRam 성능이 빨라집니다.
tRP
dRam 타이밍 모드가 [manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할
수 있습니다. 이 항목은 사전에 충전할 수 있는 RaS 사이클 수를 제어합니다.
dRam 재충전 이전에 RaS가 충전 시간을 충분히 갖지 못할 경우, 충전이 불
충분해서 dRam이 데이터를 보존하지 못할 수 있습니다. 이 항목은 시스템에
동기화 dRam이 설치된경우에만 적용됩니다.
tRaS
dRam 타이밍 모드가 [manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할
수 있습니다. 이 설정은 RaS가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데
걸리는 시간을 결정합니다.