MSI G41M-P34 User Manual

Page 96

Advertising
background image

96

CPu technology Support

Нажмите <enter> для входа в подменю. В подменю показаны технологии,

которые поддерживаются в установленном CPu.

intel eiSt

Технология enhanced intel SpeedStep позволяет установить уровень

производительности микропроцессора при работе с батареей или питанием

aC. Этот пункт появляется при установке процессора, который поддерживает

технологию SpeedStep.
adjust CPu FSB Frequency (МГц)

Этот пункт позволяет регулировать частоту FSB процессора.
adjusted CPu Frequency (МГц)

Этот пункт показывает текущее значение тактовой частоты CPu (FSB x Ratio).

Только для чтения.
memoRy-Z

Нажмите <enter> для входа в подменю.

dimm/2 memory SPd information

Нажмите <enter> для входа в подменю. Этот пункт показывает информацию

об установленных модулях памяти.

advance dRam Configuration

Нажмите <enter> для входа в подменю.

dRam timing mode

Определяет будут ли временные параметры dRam контролироваться

данными из SPd (Serial Presence detect) eePRom на модуле dRam. При

выборе значения [auto By SPd], временные параметры dRam, включая

пункты меню, перечисленные ниже, устанавливаются BioS в соответствии

с данными из SPd. При установке значения [manual], этот пункт позволяет

вручную регулировать временные параметры dRam доступные в этом

меню.
CaS Latency (CL)

При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится

доступным. Он контролирует время задержки CaS, которое определяет

период (в тактах генератора) между получением SdRam команды чтения и

началом ее выполнения.
tRCd

При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится

доступным. При регенерации заряда dRam, строки и столбцы адресуются

раздельно. Этот пункт позволяет вам определить время перехода от RaS

(строб адреса строки) к CaS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов,

тем быстрее работа dRam..
tRP

При установке dRam timing mode в [manual], этот пункт становится

доступным. Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых

для предзаряда Row address Strobe (RaS). Если выделяется недостаточное

время для того, чтобы RaS набрал необходимый заряд, регенерация

dRam может оказаться неполной и привести к потере данных. Этот пункт

применим, только когда в системе установлена синхронная dRam.

Advertising