NXP Semiconductors PBLS4004D - Manual (Page 10)

PBLS4004D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 6 January 2009 10 of 15
NXP Semiconductors
PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25 ° C
(3) T
amb
= − 40 ° C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25 ° C
(3) T
amb
= − 40 ° C
Fig 13. TR2 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 14. TR2 (NPN): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
=
−
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
−
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 15. TR2 (NPN): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 16. TR2 (NPN): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
− 1 10 2 10 1
006aaa038
10 2
10
10 3
h FE
1
(1)
(2)
(3)
006aaa039
I
C
(mA)
1 10 2 10
10
− 1
V
CEsat
(V)
10
− 2
(1)
(2)
(3)
006aaa040
I C (mA)
10
− 1 10 2 10 1
1
10
V I(on)
(V)
10
− 1
(1)
(2)
(3)
006aaa041
I C (mA)
10
− 2 10 1 1 10
− 1
1
10
V I(off)
(V)
10
− 1
(1)
(3)
(2)