NXP Semiconductors PBLS4004D - Manual (Page 9)

PBLS4004D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 6 January 2009 9 of 15
NXP Semiconductors
PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100 ° C
(2) T
amb
= 25 ° C
(3) T
amb
=
−
55
°
C
T
amb
= 25
°
C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 9. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values Fig 10. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
−
55
°
C
T
amb
= 25
°
C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 11. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
Fig 12. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
006aaa466
I
C
(mA)
−
10
− 1 −
10 4 −
10 3 −
1
−
10 2 −
10
− 10
− 1
−
1
V
CEsat
(V)
− 10
− 2
(3)
(1)
(2)
006aaa471
I
C
(mA)
−
10
− 1 −
10 4 −
10 3 −
1
−
10 2 −
10
− 10
− 2
− 10
− 1
−
1
−
10
V
CEsat
(V)
− 10
− 3
(3)
(2)
(1)
006aaa470
I C (mA)
− 10
− 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10
1
10
10 2
10 3
R CEsat
(
Ω
)
10
− 1
(3)
(1)
(2)
006aaa472
I C (mA)
− 10
− 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10
1
10
10 2
10 3
R CEsat
(
Ω
)
10
− 1
(3)
(2)
(1)