NXP Semiconductors PBLS4004D - Manual (Page 8)

PBLS4004D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 6 January 2009 8 of 15
NXP Semiconductors
PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
V
CE
=
−
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25 ° C
(3) T
amb
= − 55 ° C
T
amb
= 25
°
C
Fig 5. TR1 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values Fig 6. TR1 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=
−
5 V
(1) T
amb
=
−
55
°
C
(2) T
amb
= 25 ° C
(3) T
amb
= 100 ° C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
−
55
°
C
(2) T
amb
= 25 ° C
(3) T
amb
= 100 ° C
Fig 7. TR1 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values Fig 8. TR1 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aaa465
400
800
1200
h
FE
0
I
C
(mA)
− 10
− 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10
(2)
(3)
(1)
006aaa469
− 0.8
− 1.6
−
2.4
I C
(A)
0
V
CE
(V)
0 − 5 − 4 − 2 − 3 − 1
I
B
(mA) = − 24
− 2.4
− 4.8
− 7.2
−
12
− 14.4
−
9.6
− 16.8
− 19.2
− 21.6
006aaa467
− 0.6
− 0.4
− 0.8
−
1.0
V BE
(V)
− 0.2
I
C
(mA)
− 10
− 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10
(3)
(1)
(2)
006aaa468
−
0.5
− 0.9
−
1.3
V BEsat
(V)
− 0.1
I
C
(mA)
− 10
− 1 − 10 4 − 10 3 − 1 − 10 2 − 10
(2)
(3)
(1)